Технологические устройства

Наша команда занимается разработкой и изготовлением технологических устройств под индивидуальные задачи заказчика.

Дуговые испарители на постоянном токе
и импульсные дуговые испарители
Дуговые испарители предназначены для нанесения металлических, керамических и композитных покрытий (тонких пленок) в вакууме методом дугового распыления в вакуумных установках.
Принцип работы дугового источника

     На рисунке представлена схема дугового источника:


    Принцип работы дугового источника основан на

Примеры разработанных и реализованных ионных источников
Источники ионов
Источники ионов предназначены для очистки поверхности подложек непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия, ионного ассистирования при магнетронном напылении, ионного травления, модификации поверхности.
Принцип работы ионного источника

     На рисунке представлена схема ионного источника: 1 – охлаждаемый анод, 2 – магнитный корпус (катод), 3 – магнитная система, 4 – газовый трубопровод


    Принцип работы ионного источника основан на формировании плазмы за счет ионизации рабочего газа в скрещенных электрическом и магнитном полях. Разряд образуется при подаче рабочего газа и напряжения питания в области, ограниченной двумя магнитными полюсами катода и анода.

    Рабочий газ подается непосредственно внутрь корпуса ионного источника через газовый трубопровод. При подаче положительного потенциала на анод, возникает разряд между электродами. Ионы газа ускоряются в межэлектродном промежутке, образуя ионный поток на подложку.

Примеры разработанных и реализованных ионных источников
Магнетронные распылительные системы
Магнетронные распылительные системы предназначены для формирования тонких пленок металлов и их соединений путем распыления мишени в среде смеси рабочего и реактивного газов в плазме аномально тлеющего разряда.

Могут эксплуатироваться как в составе установок вакуумного напыления, так и в научных исследованиях вакуумных разрядов.

Принцип работы магнетронной распылительной системы

           На рисунке представлен принцип действия магнетронной распылительной системы. Основными элементами такой системы являются магнитная система, анод, мишень-катод, рабочий газ – аргон.

          Силовые линии магнитного поля запираются между полюсами магнитной системы. Поверхность мишень, расположенная между местами входа-выхода линий магнитного поля, подвергается интенсивному распылению в виде замкнутого трека, определяемого формой полюсов магнитной системы.
          Электроны под действием ионной бомбардировки вырываются с поверхности катода. Они начинают совершать сложное циклоидальное движение у поверхности мишени, захватываясь и удерживаясь магнитным полем. Электроны под действием магнитного поля, возвращаясь на катод, который их отталкивает, находятся в ловушке. Внутри этой ловушки они циклируют пока не произойдет несколько столкновений с атомами газа, и электроны не потеряют энергию, полученную от электрического поля.

Примеры разработанных и реализованных магнетронных распылительных систем